3月25日，由苏州工业园区科技和信息化局主办的“科技创享汇”如期举行。此次，特别邀请了苏州晶湛半导体有限公司董事长、总裁程凯博士，为大家做第三代半导体材料方面的精彩讲座。

现场，程凯博士带来题为“第三代半导体材料及其应用”的演讲。他详细介绍何为半导体，以及半导体与诺贝尔奖的渊源。同时指出第三代半导体GaN、SiC将在电力电子方面大展身手、同时GaN在即将到来的5G移动通信、 uLED显示方面的应用也具有广阔前景。据程凯博士介绍，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）等材料为代表的宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。

程凯博士现任苏州晶湛半导体有限公司董事长、总裁，是硅上氮化镓外延技术的开拓者之一。程博士2002年毕业于清华大学，2008年获得鲁汶大学电子工程博士学位。随后在欧洲微电子中心任职资深科学家，致力于氮化镓外延材料、器件的研发。2012年回国后创办苏州晶湛半导体有限公司，先后获得园区、苏州市、江苏省等各级人才计划支持。

我国目前正处于快速夯实第三代半导体材料基础的重要阶段，加快第三代半导体材料、器件与应用技术的开发及其产业化仍然是目前我国发展第三代半导体材料产业的首要任务。

功率电子器件是半导体行业的一个重要分支。目前，世界上60%的电力要流过半导体功率电子器件。其产值约占整个半导体行业的10%，年增长率在10%左右。主要器件类型包括MOSFET, IGBT, GTO和Thyristor. 而以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料，由于本身优异的材料、器件特性，在新能源汽车、消费电子、工业电子等领域，将会发挥重要作用。在应用领域方面，GaN和SiC存在互补关系。一般的业界共识是：SiC适合高于1200V的高电压大功率应用；GaN器件更适合于40-600V的高频应用。在600V和1200V器件应用领域，SiC和GaN形成竞争。

在5G移动通信领域，GaN将作为核心器件登上历史舞台，是未来移动通信系统的重要推手。第三代半导体产业的核心是材料，器件性能的突破离不开于材料的创新。与Si和GaAs相比，GaN是唯一一个可以同时实现高频、大功率的材料体系。目前，GaN-on-SiC是微波器件的主流技术，在5G时代GaN-on-Si技术会有重要的地位。

近年来，我国已发展为全球最大的半导体市场，但是与之相对应的是，我国半导体行业产值较低，与美国、日本、欧洲等国家相比仍有较大差距。不过，随着我国政府对半导体行业的重视、重点项目及产业的建设投资陆续实施、市场快速的扩张，我国第三代半导体行业的龙头企业也取得了较大的进步。

从长远来看，随着全球半导体行业产能的转移和中国不断增大制造及销售规模，半导体产业在中国具有极其广阔的发展空间。第三代半导体行业的市场前景广阔，发展空间巨大。未来园区应在第三代半导体产业领域抢抓历史机遇，做出相应的战略布局。

程博士认为，下一步，园区应集中资源优势，扶持重点研究项目和产业基地；建立公共研发平台，引入优势技术合作；优先布局产业规划，实现多领域协同发展。

作为助推园区科技创新发展的一线实践者，园区科信局每周都会进行这样的业务“充电”。自2016年起，科信局每周开展一场“科技创享汇”活动，鼓励科技条线全体员工主动学习，“不断掌握新知识新技能，做到在创新发展中不落伍不掉队”，扎实践行《园区工作人员行为导则》。