场效应管（FET）
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管的分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
一、结型场效应管（JFET）
结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
N沟道结型场效应三极管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
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▲结型场效应三极管的结构
D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极;
G(Gate)称为栅极，相当于的基极;
S(Source)称为源极，相当于发射极。
二、绝缘栅场效应管（MOS管）
它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
耗尽型 →N沟道、P沟道
增强型 →N沟道、P沟道
▲N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构和转移特性曲线
场效应管的作用
1. 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3. 场效应管可以用作可变电阻。
4. 场效应管可以方便地用作恒流源。
5. 场效应管可以用作电子开关。
（图文整理自网络，版权归原作者。）
电子元器件 07
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